| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型號(hào) | LA-30B-10-F-L, |
| 類型 | 諧波減速器 | 載荷狀態(tài) | 中等沖擊載荷 |
| 傳動(dòng)比級(jí)數(shù) | 無級(jí) | 軸的相對(duì)位置 | 立式加速器 |
| 傳動(dòng)布置形式 | 擺線式 | 加工定制 | 否 |
| 樣品或現(xiàn)貨 | 現(xiàn)貨 | 齒面硬度 | 軟齒面 |
| 布局形式 | 擺線式 | 用途 | 變速機(jī) |
| 輸入轉(zhuǎn)速 | 3000rpm | 額定功率 | 360kw |
| 輸出轉(zhuǎn)速范圍 | 50rpm | 許用扭矩 | 691N.m |
| 使用范圍 | 化工 | 減速比 | 232 |
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L
半導(dǎo)體芯片的制造可以分為制造準(zhǔn)備、制造過程兩個(gè)階段。哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L制造準(zhǔn)備階段需要做的工作包括集成電路設(shè)計(jì)、掩模板設(shè)計(jì)制造、硅片的制備、制造環(huán)境的創(chuàng)建。芯片制造過程包括的主要工藝有薄膜生成工藝（氧化、淀積）、圖形轉(zhuǎn)移工藝（光刻、刻蝕）、摻雜工藝（擴(kuò)散、離子注入）以及其他輔助工藝（熱處理哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L、清洗、CMP）等。芯片制造工藝設(shè)備按照工藝過程組成相應(yīng)的生產(chǎn)線。
1. 半導(dǎo)體芯片制造工藝
以64GbCOMS器件制造為例，整個(gè)工藝過程大約需要180個(gè)主要步驟、52個(gè)清洗/剝離步驟以及多達(dá)28塊掩模板。這些工藝步驟基本上都屬于上述四種基本工藝。如果集成電路的特征值進(jìn)一步減少時(shí)，哈默納科芯片半導(dǎo)體諧波LA-30B-10-F-L需要的工藝步驟數(shù)將會(huì)增加到500或更多。
