| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | INFINEON | ||
| 封裝 | MODULE | ||
| 批號(hào) | 19 | ||
| 數(shù)量 | 326 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類 | IGBT 模塊 | ||
| 產(chǎn)品 | IGBT Silicon Modules | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.1 V | ||
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 995 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 4050 W | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 技術(shù) | Si | ||
| 商標(biāo) | Infineon Technologies | ||
| 安裝風(fēng)格 | Chassis Mount | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20 V | ||
| 產(chǎn)品類型 | IGBT Modules | ||
| 工廠包裝數(shù)量 | 10 | ||
| 子類別 | IGBTs | ||
| 零件號(hào)別名 | BOSA1 SP000635448 BOSA1 | ||
| 單位重量 | 345 g | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | |||
.jpg)