NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
描述
NP4N10MR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和高
超低導(dǎo)通電阻密度電池設(shè)計(jì)。這
該裝置適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM
應(yīng)用。
一般特征
? VDS=100V，ID=4A RDS（開(kāi)）（典型值）=110m? @VGS=10V
RDS（開(kāi)）（典型值）=150m? @VGS=4.5V
? 高功率和電流處理能力
? 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
? 表面貼裝封裝
應(yīng)用
? PWM應(yīng)用
? 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包裹
? SOT-23-3L
示意圖
D G S
標(biāo)記和針腳分配
