| STB系列高頻、高脈沖電容器 | |||||
| 緩沖線路，可控硅整流線路，開關電源保護線路。 IGBT，MOSFET突波吸收 。 | |||||
| 高電壓，高脈沖，高du/dt | |||||
| 材料特性 | |||||
| 電容結構: | 雙層金屬化膜，內部串聯(lián)結構 | ||||
| 封裝: | 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準. | ||||
| 尺寸: | 適合于各種IGBT保護 。 | ||||
| (可按客戶需求定制特殊規(guī)格) | |||||
| 電氣特性 | |||||
| 電容量: | 0.001 to 1.5μF, 參考表格數(shù)據(jù) | ||||
| 額定電壓: | 700 to 2000 Vdc | ||||
| 損耗角正切: | 測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃. | ||||
| Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 | |||||
| 絕緣電阻: | 3000s，s= MΩ. μF 測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃) | ||||
| 耐電壓: | 1.8Ur (DC)測試條件 2s，t 25±5℃，1Min | ||||
| 工作溫度: | -40~+85℃ | ||||
